随着科技的不断进步，半导体晶圆作为现代电子工业的核心部件，其加工工艺与材料制备技术日益受到关注。

本文将探讨光刻胶、抛光液、锆钛酸铅等关键半导体晶圆制备材料的制备工艺和方法。

并着重阐述博亿研磨与分散设备在这些材料制备过程中的重要作用及其技术亮点。

光刻胶色浆：光刻胶色浆的制备是一个涉及复杂化学反应和精细工艺控制的过程。

首先，根据预设配方，将颜料、分散剂、溶剂等原料混合，形成初步混合物。

随后，该混合物被置于博亿砂磨机中，经过研磨分散，使粒子达到所需的粒度分布。

在严格控制的温度和搅拌条件下，进行化学反应，确保各组分充分反应，形成均匀的光刻胶溶液。

为了进一步优化粒子细度和分散性，混合物还需经过高压微射流均质分散处理。

之后，通过滤芯对研磨和均质分散后的浆料进行过滤，去除大颗粒、金属离子等污染物，以确保光刻胶的纯净度。

光刻胶用色浆的粒径大小、粒径分布、均一性等因素对光刻胶性能以及后续工艺起着重要作用。

在此过程中，博亿砂磨机发挥着关键作用，它精准控制机械强度。

有效防止机械能不足难以解开团聚或机械能过大对粒子造成二次损伤，从而确保成品粒径分布窄、均一性好。

抛光液：抛光液的制备包括原材料、抛光助剂、溶剂以及纳米研磨粒子等关键成分。

抛光液磨料的粒径大小和形状对CMP工艺的效果具有至关重要的影响。

博亿砂磨机凭借其专利涡轮研磨系统，能够将抛光液磨料研磨至纳米级别，且生产出的磨料形状规则、均一性好。

这使得经过CMP工艺生产出来的半导体晶圆表面更加平整、光滑，提升了抛光效果和产品质量。

锆钛酸铅：锆钛酸铅的湿法研磨工艺是一个精细的过程，它首先将高纯度的氧化铅、二氧化锆和二氧化钛按精确比例混合。

并与适量的溶剂一同放入砂磨机中进行长时间的研磨，以确保获得粒度细小且分布均匀的粉末。

在此过程中，研磨时间、转速和溶剂比例的控制至关重要。

随后，通过过滤、洗涤和干燥步骤去除杂质并干燥粉末。为了改善粉末的流动性和成型性能，还需进行造粒处理。

在半导体晶体的制备过程中，对设备参数和制备工艺的精准控制是确保最终产品质量与性能稳定的关键所在。

作为业界领先的研磨与分散解决方案提供商，博亿深知其中的重要性。

并积极通过技术创新和服务优化，帮助企业实现更稳定、高效的半导体晶体生产。

图为：诚邀您莅临Semicon Taiwan半导体博亿展位：Booth:13126，展览时间2024年9月4-6日

除了设备参数的控制，制备工艺的优化也是提升半导体晶体质量的关键。

博亿通过深入研究和实践，积累丰富的制备工艺优化经验。

我们不仅提供先进的研磨与分散设备用于研发半导体晶圆，还根据企业的具体需求，量身定制个性化的制备方案和工艺，帮助企业有效提升产品的整体质量。